采用应变层量子阱的毫米波低噪声HEMT的进展被引量：1

The Progress of The Millimeter-Wave Low-Noise HEMT's Using Strained Layer Quantum Wells

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摘要本文评介了近几年来采用应变量子阱的毫米波低噪声HEMT(高电子迁移率晶体管)的发展概况. The rapid progress of the millimeter-wavelow-noise HEMT's using strained layer quan-tum wells is reviewed in this paper.

作者林绪伦

机构地区北京大学微电子学研究所

出处《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1990年第2期12-14,共3页 Microelectronics & Computer

关键词晶体管 HEMT 毫米波应变层量子阱 Millimeter-Wave Strained Layer Quantum Wells Low-Noise HEMT

分类号 TN32 [电子电信—物理电子学]

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微电子学与计算机

1990年第2期

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