在再结晶多晶硅膜中制造合并3-D纵向双极-MOS器件

Vertical Bipolar Transistors And A Merged 3-D Vertical Bipolar-MOS Device In Recrystallized Polysilicon

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摘要本文研究了成形激光束再结晶多晶硅膜的少数载流子性质,在这种膜中成功地制造出纵向双极晶体管和一种3-D 合并纵向双极-MOS 器件,并提出了关于该器件的简单模型.横向晶体管的实验确定了p 型再结晶膜中少数载流子的扩散长度为4μm.使用多晶硅发射极技术,在0.75μm 厚的膜中制造出基区宽度为0.2μm 的纵向双极npn 晶体管.描述了晶体管的增益与氢退火步骤有密切关系.用Ar:H等离子退火减少基区-发射区的空间电荷区域的复合,有可能使共发射极电流增益(β)为100.

作者 J.C.Sturm J.F.Gibbons 石广元

出处《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1990年第2期14-16,共3页 Microelectronics & Computer

关键词 MOS器件多晶硅膜晶体管

分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]

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