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超低导通电阻MOSFET
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摘要
SiR640DP和SiR662DP是40V和60VN沟道TrenchFET功率MOSFET，两款器件采用SO-8或PowerPAK SO-8封装，具有极低的导通电阻，以及极低的导通电阻与栅极电荷乘积（FOM，优值系数）。
出处
《今日电子》
2011年第5期65-66,共2页
Electronic Products
关键词
功率MOSFET
低导通电阻
SO-8封装
栅极电荷
优值系数
N沟道
器件
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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今日电子
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