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单壁碳纳米管生长研究取得进展
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摘要
碳纳米管的可控制备是目前碳基电子学发展中亟待解决的瓶颈问题,国际半导体路线图委员会2009年所提出的碳纳米管基电子学发展中的五大挑战中的前两个挑战分别是碳纳米管的性质可控生长和方向、位置的可控生长。针对困扰碳基电子学发展的这一基础与核心问题,北京大学化学与分子工程学院李彦教授课题组近年来开展了系统深入的研究工作,取得了一系列的进展和突破。
出处
《炭素技术》
CAS
CSCD
2011年第2期19-19,共1页
Carbon Techniques
关键词
单壁碳纳米管
可控生长
电子学
可控制备
工程学院
大学化学
委员会
路线图
分类号
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
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