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硅表面缺陷对金刚石成核结膜的重要作用
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摘要
本文采用研磨、超声波和化学方法处理单晶硅基片,观察了缺陷形成的形态,进行低压法合成金刚石多晶薄膜的实验研究,初步讨论了缺陷在金刚石成核结膜中的重要作用。
作者
李胜华
张志明
张冬喜
竺品芳
丁正明
机构地区
上海交通大学
出处
《微细加工技术》
1990年第2期16-18,共3页
Microfabrication Technology
基金
国家高科技和上海市自然科学基金
关键词
金刚石
硅
缺陷
薄膜
成核
结膜
分类号
TN304.18 [电子电信—物理电子学]
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微细加工技术
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