国外微细加工技术的新进展

日立制作所新研制成电子束缩小曝光装置已曝光出线宽为0.2μm的存储器图形,线宽精度为0.02μm。在Si板上制造放大25倍的图形,图形精度为0.5μm,每次曝光面积为4μm×4μm,一次可曝光24个存储单元阵列,现在有四种固定图形可供选用。对于图形中很不规则部分则用可变成形束曝光,这种装置的生产效率比过去的步进重复曝光要提高一百倍。