飞兆半导体推出60V Power Trench MOSFET器件

飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）开发出N沟道Power Trench MOSFET器件FDMS86500L，以满足设计人员对降低传导损耗和开关损耗的需求。该器件经专门设计，以最大限度地减小传导损耗和开关节点振铃，并提升DC—DC转换器的整体效率。