摘要
在塑性分切应变幅(γ_(pl))约为10^(-4)~10^(-2)范围内,研究了共面双滑移取向[233]和单滑移取向[4 18 41](Shimid因子Ω=0.5)铜单晶体的循环形变行为。当γ_(pl)<2×10^(-3),[233]晶体的初始硬化速率θ_(0.2)较低,几乎与应变幅大小无关。当γ_(pl)>×10^(-3),θ_(0.2)随γ_(pl)的增加而显著增大。当γ_(pl)≥3.5×10^(-3)时,[233]晶体的循环硬化曲线出现二次硬化阶段,且二次硬化的临界应变幅介于单滑移单晶体和多晶体之间,表明[233]双滑移晶体的硬化行为比单滑移晶体更接近多晶体。[233]晶体的循环应力-应变(CSS)曲线在塑性应变幅γ_(pl)=3×10^(-4)~2×10^(-3)范围内出现1个准平台区。[233]晶体试样表面形成的两类宏观形变带(DBⅠ和DBⅡ)呈严格的正交关系,并随着外加应变幅的增加而不断发展。
基金
国家自然科学基金(批准号:19392300-4)