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日本松下半导体公司开发高输出功率GaN晶体管

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摘要 日本松下半导体公司成功开发出在可批量生产的硅基板上用毫米波工作的高输出功率GaN(氮化镓)晶体管,并使用该晶体管试制了25GHz收发器,晶体管最大输出功率达10.7W。以前使用的GaAs晶体管的输出功率较小,毫米波通讯距离在10km以下。而新开发的GaN晶体管,按输出功率计算,其毫米波通讯距离最大可达84km。
出处 《现代材料动态》 2011年第2期8-8,共1页 Information of Advanced Materials

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