期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
日本松下半导体公司开发高输出功率GaN晶体管
原文传递
导出
摘要
日本松下半导体公司成功开发出在可批量生产的硅基板上用毫米波工作的高输出功率GaN(氮化镓)晶体管,并使用该晶体管试制了25GHz收发器,晶体管最大输出功率达10.7W。以前使用的GaAs晶体管的输出功率较小,毫米波通讯距离在10km以下。而新开发的GaN晶体管,按输出功率计算,其毫米波通讯距离最大可达84km。
作者
杨晓婵(摘译)
出处
《现代材料动态》
2011年第2期8-8,共1页
Information of Advanced Materials
关键词
高输出功率
半导体公司
晶体管
GAN
开发
松下
日本
最大输出功率
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
1
ON Semiconductor.
推进更快、更智能和更高能效的GaN晶体管[J]
.电源世界,2016,0(7):31-33.
2
谭庆华.
GaN晶体管启程商用之路[J]
.集成电路应用,2011(1):17-17.
3
陈裕权.
Cree推出400W S波段RF GaN晶体管[J]
.半导体信息,2006,0(6):24-24.
4
安森美半导体和Transphorm推出600V GaN晶体管用于紧凑型电源及适配器[J]
.电子设计工程,2015,23(7):85-85.
5
安森美半导体推进更快、更智能和更高能效的GaN晶体管[J]
.半导体信息,2016,0(3):9-12.
6
安森美半导体推进更快、更智能和更高能效的GaN晶体管[J]
.电源技术应用,2016,0(4).
7
美半导体和Transphorm推出600V GaN晶体管[J]
.半导体技术,2015,40(4):272-272.
8
孙再吉.
230W大功率GaN高频晶体管[J]
.半导体信息,2005,0(6):31-32.
9
松下开发出高输出功率GaN晶体管[J]
.中国集成电路,2010,19(9):2-2.
10
Qorvo发布六款全新更高性能的GaN分立式LNA和驱动器[J]
.半导体信息,2016,0(6):12-13.
现代材料动态
2011年 第2期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部