长寿命高可靠铱层M型发射阴极
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1陈再高,王玥.多电子束发射相对论返波管的三维数值模拟[J].现代应用物理,2015,6(2):102-106. 被引量：1
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2王辉,孟令国,张玉娟,刘纯亮,梁海峰.SED电形成过程瞬态响应测量电路[J].电视技术,2009,33(8):33-35. 被引量：1
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3柯春和,彭自安,冯进军,李兴辉.场发射平板显示器件[J].真空电子技术,1994,7(2):10-15. 被引量：6
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4于彩茹,刘京,王琦龙,狄云松,朱卓娅,张晓兵,雷威.冷阴极技术及其在大功率真空电子器件中的应用[J].太赫兹科学与电子信息学报,2016,14(1):148-154.
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5王晓东,范植开,张运俭,罗雄,郭焱华.C波段新型渡越管模拟研究[J].强激光与粒子束,2007,19(8):1343-1346. 被引量：1
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6孙晓娟,胡礼中,宋航,李志明,蒋红,缪国庆,黎大兵.GaAs微尖阵列的制备与场发射性能[J].发光学报,2008,29(5):901-904. 被引量：1
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7孙林,王磊,李德杰.低电子亲和势内场发射阴极[J].微细加工技术,2001(1):37-40. 被引量：1
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8王琦龙,雷威,张晓兵,王保平,周雪东,张宇宁.大尺寸CNT-FED阴极制备研究[J].应用科学学报,2005,23(3):261-264. 被引量：1
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9王小菊,林祖伦,祁康成,陈泽祥,汪志刚,蒋亚东.电化学刻蚀法制备LaB_6场发射微尖锥阵列[J].发光学报,2007,28(3):429-432. 被引量：6
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10王芸,徐东,吴茂松,王莉,钱开友,叶枝灿,蔡炳初.场发射硅锥阵列的干法制备与研究[J].微细加工技术,2006(1):56-60. 被引量：2
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