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20年来对静电感应器件(SID)的开拓性研究 被引量:3

Pioneering Study on Static Induction Devices(SID) in Past 20 Years
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摘要 全面总结了本研究所20年来独立自主完成的关于静电感应器件( S I D)的开拓性研究成果,包括 S I D 基本器件物理的理论研究,器件结构的研究,电性能的控制,关键制造技术的研究, S I D产品的研制以及 S I D The pioneering achievements of our institute on SID research are summed up here. They are as follows:The theoretical studies on the physics of SID, the device structures,control of the electrical performance,the key manufacturing technologies,the development of new varieties of products of SID and partial applications of these SID, etc.
作者 李思渊
出处 《兰州大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期36-55,共20页 Journal of Lanzhou University(Natural Sciences)
基金 国家"八五"科技攻关项目 甘肃省"六五" "八五" "九五"科技攻关项目
关键词 静电感应器件 SID 电力半导体器件 SIT SITH static induction device SID pioneering study
  • 相关文献

参考文献84

二级参考文献3

  • 1沈天慧,半导体杂志,1986年,3期,36页
  • 2匿名著者,半导体器件物理与工艺,1976年
  • 3李思渊,Solid.State Electronics,1990年,33卷,345页

共引文献12

同被引文献15

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  • 2胡冬青,李思渊,王永顺.电力SITH阳极造型对耐电容量的影响及提高[J].兰州大学学报(自然科学版),2005,41(5):77-79. 被引量:1
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引证文献3

二级引证文献9

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