期刊文献+

3D晶体管为摩尔定律注入新活力 被引量:1

下载PDF
导出
摘要 众所周知,根据摩尔定律,晶体管的集成度每十八个月翻一番,同时芯片功能和性能将提高,而成本则会降低。40多年以来,摩尔定律已经成为半导体行业的基本商业模式。但是,随着芯片集成度的提高,工艺制程的提升(进入32纳米),晶体管越来越小,其沟道长度也逐渐变小,漏电流成了不可解决的问题,人们一度怀疑摩尔定律是否继续有效?
作者 王丽英
出处 《今日电子》 2011年第6期25-25,共1页 Electronic Products
  • 相关文献

同被引文献5

  • 1Jean- Christophe Eloy, 3DIC trends and mid-end foundries growth are changing the rules of IC packaging, [C]. SEMICON Taiwan 2011市场趋势论坛 Taiwan: SEMI, 2011,75-81.
  • 2John H. Lau. TSV and Other Key Enabling Technologies of 3D IC/Si Integrations[C]. 43rd International Symposium on Microelectronics Raleigh- USA, Raleigh Convention Center, 2010.232.
  • 3莫大康.英特尔发布3D晶体管技术延伸摩尔定律[EB/OL]. www.21 ic.com/news/embed/201105/82518.htm 2011-05-06/2011-11-26.
  • 4Philip Garrou.3D集成电路将如何实现?[J].集成电路应用,2009(3):39-41. 被引量:1
  • 5Philip Garrou.3D集成电路进入商业化领域[J].集成电路应用,2009(5):37-40. 被引量:3

引证文献1

二级引证文献3

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部