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英特尔开发出世界上首个3D晶体管 英特尔日前正式宣布,在微处理器上实现了历史性的技术突破,成功开发世界首个3D晶体管,名叫Tri-Gate。据介绍,通过使用3D晶体管,芯片可以在低电压和低泄漏下运行,从而使性能和功耗取得大幅改进。在低电压条件下,22纳米的3DTri-Gate晶体管比英特尔32纳米平面晶体管性能提高37%。