新型UV—CVD工艺系统的研制

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摘要由于一些半导体器件要求在低温条件下进行薄膜淀积，近年来出现了一些新的低温薄膜淀积设备。

作者刘洪宁孙建诚

机构地区西安电子科技大学微电子所

出处《电子工业专用设备》 1999年第2期27-29,共3页 Equipment for Electronic Products Manufacturing

关键词半导体器件 UV-CVD工艺系统薄膜沉积硅技术

参考文献1

1Altatech推出新型CVD、ALD设备[J].电子工业专用设备,2008,37(10):65-65.
2包宗明,张秀珠.同步辐射与下一代微电子技术[J].科学,1997,49(2):52-54.
3孙建诚,王玉清.紫外光能量辅助CVD的反应机制[J].微电子学,1997,27(6):357-361. 被引量：2
4刘洪宁,孙建诚,胡辉勇,张鹤鸣.用于SiGe材料生长的新型UHV/UV/CVD系统[J].真空电子技术,2000,13(3):25-27. 被引量：5
5王小平,王丽军,张兵临,何金田,刘大军,沈书泊,王建恩.一种特殊结构的金刚石薄膜电致发光器件[J].物理,1997,26(12):733-735. 被引量：1
6易茂祥,毛剑波,陈向东.低温氢化非晶硅薄膜晶体管研究[J].电子器件,2008,31(3):766-769. 被引量：4
7顾致民.优化清除等离子淀积设备电极上淀积物的方法[J].半导体技术,1992,8(1):46-49.
8黄大鹏,张鹤鸣,戴显英,胡辉勇.低温外延生长应变SiGe材料研究[J].电子科技,2004,17(4):8-10.
9Linda T. Creagh,Marlene McDonald,William Letendre.平板显示器制造中用作精密淀积设备的喷墨印刷头(英文)[J].电子工业专用设备,2004,33(8):9-14. 被引量：1
10Tegal获得日本晶圆厂900系列蚀刻设备订单[J].电子工业专用设备,2006,35(9):50-50.

电子工业专用设备

1999年第2期

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