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19纳米工艺制造技术SanDisk Corporation近日宣布推出采用全球领先的19纳米存储制造工艺、基于2-bits-per-cell（X2）技术的64Igigabit（Gb）单块芯片。此项技术将令SanDisk制造出适用于手机、平板电脑和其他设各的高性能、小尺寸嵌入式和可移动存储设备。19纳米存储芯片采用了包括先进的工艺创新和单元设计解决方案在内的、时下最先进的闪存技术制造工艺。SanDisk的All-Bit-Line（ABL）架构拥有专用的程序设计算法和多层式数据储存管理方案，从而在制造多层单元（MLC）NAND闪存芯片时不会影响其性能或可靠性。