Si1-xGex/Si共振隧穿结构的数值模拟
摘要
本文模拟了Si1-xGex/Si空穴型共振隧穿薄膜结构在室温下的I-V特性及计算介观压阻系数,分析表明器件的势垒厚度和Ge含量的多少都会对共振隧穿薄膜结构的负阻效应产生影响,对一些因满足不同的需要而将机械信号转换为电学信号的介观压阻效应器件的设计有很大的帮助。
出处
《中国电子商务》
2011年第6期104-105,共2页
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