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碳化硅肖特基二极管仿真模型及其在自动化装置中的应用 被引量:1

Simulation model and application of silicon carbide power schottky diode
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摘要 根据碳化硅肖特基二极管半导体物理结构,在测量碳化硅二极管特性参数的基础上研究其静、动态性能及计算机仿真模型。针对其低的通态电阻、反向阻断电压高、高频率、存储电荷少的特点,在适合其应用的太阳能最大功率跟踪电路以及作为IGBT器件的续流二极管电路上研究了其反向恢复特性及对电路效率的提高。实验结果验证了模型的准确性与应用的优越性。
机构地区 安阳师范学院
出处 《制造业自动化》 北大核心 2011年第12期123-125,共3页 Manufacturing Automation
  • 相关文献

参考文献4

  • 1P. Friedrichs. Silicon Carbide power devices - status and upcoming challenges[C]. Proc. European Conference on Power Electronics and Applications, 2007, 1-11.
  • 2Dietrich Stephani. The Industrial Utilization of SiC Power Devices Aspects and Prospects [C]. IEEE Applied Power Electronics Conf., 2008, 596-600.
  • 3苗永斌,张玉明,张义门.碳化硅MPS:新一代功率开关二极管[J].微电子学,2004,34(2):116-121. 被引量:3
  • 4G. Skibinski, etc., Investigation into Operating Characteristics of Hybrid Si-SiC 25A/1200V Power Modules[C]. IEEE Industry Application Conf., 2004: 56-59.

二级参考文献1

  • 1张玉明 张义门.碳化硅功率器件[A]..中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会论文[C].深圳,2002..

共引文献2

同被引文献8

引证文献1

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