摘要
以Zener模型为基础,考虑反铁磁性交换作用对DMS材料居里温度的影响,理论计算证明:n型DMS材料的居里温度有一个极大值,此极大值点投影到xoy平面(掺杂浓度x与反铁磁性交换作用相对强弱y所在的坐标面)上的轨迹是一双曲线,此双曲线为由基质材料与掺杂的磁性杂质决定。
This paper based on Zener Model,considering the impact of the Anti-ferromagneticexchange on the Curie temperature of DMS materials.It follows：The Curie temperature of n-typesemiconductor is a maximum,and to obtain a constant is（48/35）1/2.
出处
《内蒙古工业大学学报（自然科学版）》
2011年第1期17-19,共3页
Journal of Inner Mongolia University of Technology：Natural Science Edition
基金
内蒙古工业大学校基金项目(X200930)
关键词
稀磁半导体
居里温度极值点
掺杂浓度
反铁磁性交换作用
diluted magnetic semiconductor
Curie temperature extreme points
dope concentration
anti-ferromagnetic exchange
