高能离子注入及其应用被引量：1

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摘要本文介绍了高能离子（Ｍｅｖ／ａｍｕ）与固体相互作用的特点，综述了近几年来高能离子注入技术在制备多层结构晶体管、减少载流子寿命、材料表面改性及增强薄膜与基体粘着力等方面的研究概况．

作者林森浩王玟珉

机构地区中国科学院上海原子核研究所

出处《物理》 CAS 北大核心 1990年第6期345-348,336,共5页 Physics

关键词高能离子离子注入

参考文献1

1宋书林,陈诺夫,尹志岗,柴春林,杨少延,刘志凯.离子注入制备GaAs:Mn薄膜的性质研究[J].功能材料,2004,35(z1):1308-1310. 被引量：2
2邓星茂.LC—4型700keV高能离子注入机头部装置[J].微细加工技术,1989(1):24-26. 被引量：1
3卢武星,吴瑜光.MeV高能离子注入Si的研究[J].原子核物理评论,1997,14(3):181-184. 被引量：2
4肖中银,王廷云,罗文芸,王子华.高能粒子辐照二氧化硅玻璃E′色心形成机理研究[J].物理学报,2008,57(4):2273-2277. 被引量：6
5金运范,王志光.快重离子在凝聚态物质中引起的效应——电子能损效应[J].原子核物理评论,1998,15(2):88-96. 被引量：7
6浅利正敏,开本亮,吴健昌.采用RFQ加速器的高能离子注入机[J].微细加工技术,1990(4):61-67. 被引量：1
7黑井隆,吴明华.高能离子注入技术的应用[J].微细加工技术,1992(4):9-14. 被引量：1

1卢武星.MeV高能离子注入Si中二次缺陷控制[J].自然科学进展（国家重点实验室通讯）,1995,5(3):371-377.
2黑井隆,吴明华.高能离子注入技术的应用[J].微细加工技术,1992(4):9-14. 被引量：1
3Ditmi.,T Tisc.,JW.超热原子团簇爆炸产生高能离子[J].强激光技术进展,1998,8(2):31-34.
4俞跃辉,朱南昌,邹世昌,周筑颖,赵国庆.高能离子注入硅的无损表征[J].电子科学学刊,1996,18(1):104-108.
5陈利.一种减小VDMOS反向传输电容的新结构[J].企业导报,2015(20):166-168.
6俞跃辉,邹世昌,关安民,周筑颖,赵国庆.高能离子注入硅形成导电埋层的光学表征[J].中国科学（A辑）,1994,24(6):606-613.
7半导体光学材料及制备[J].中国光学,1995(6):51-51.
8俞跃辉,邹世昌,周筑颖,赵国庆.高能离子注入硅中自由载流子的等离子效应的光学响应研究[J].Journal of Semiconductors,1995,16(10):759-765.
9银燕,常文蔚,马燕云,郭少锋,徐涵.超短脉冲超强激光与固体靶相互作用中高能离子的产生[J].强激光与粒子束,2004,16(6):741-744. 被引量：9
10陈刚,王雯,柏松,李哲洋,吴鹏,李宇柱,倪炜江.UHF频段高功率SiC SIT[J].固体电子学研究与进展,2011,31(1):20-23. 被引量：1

物理

1990年第6期

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