硅分子束外延及其应用的新进展

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摘要以Si为基底的分子束外延是Si能带工程的基础．本文简要地介绍了Si分子束外延的技术以及它在新型器件结构应用方面的一些基本问题和发展现状．

作者周国良王迅

机构地区复旦大学表面物理实验室

出处《物理》 CAS 北大核心 1990年第9期524-530,共7页 Physics

关键词硅分子束外延

参考文献1

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物理

1990年第9期

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