热灯丝CVD法金刚石膜负偏压增强核化机制的研究

利用扫描电镜、原子力显微镜、Ｒａｍａｎ谱和红外吸收谱研究了在衬底负偏压和电极偏压下热灯丝ＶＣＤ金刚石膜核化增强的机制。在两种负偏压下，Ｓｉ（１００）上在－３００Ｖ和２５０ｍＡ时最大核密度分别达到了１０＾１０ｃｍ＾－２和１０＾１１ｃｍ＾－２。研究表明产生于石墨支架和电极上金刚石涂层的电子激发了等离子体，并通过红外吸收谱探测发现等离子体的出现极大地增强了化学基深度。实验结果还表明。