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场致发射微型阴极阵列结构的研究

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摘要 通过采用空间电荷影响的空间电场计算程序,对场致发射体进行模拟计算,初步研究了发射体的几何形状尺寸与其发射特性之间的联系。通过对不同几何尺寸发射体的计算结果的分析,认为发射体的尖端曲率半径及栅极的开口直径是影响发射体发射特性的最主要的因素,依据合肥国家同步辐射实验室的LIGA深度光刻技术,给了一可行的几何开头,计算表明对点阵密度为10^7点/cm^2的直径为6mm的硅发射体发射阵列。
作者 尉伟 裴元吉
出处 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1999年第A10期147-151,共5页 Vacuum Science and Technology
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