改善UHV／CVD外延生长环境提高GeSi／Si材料性能有效方法

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摘要本文阐述了应用国产ＵＨＶ／ＣＶＤ设备处延生长的ＧｅＳｉ／Ｓｉ材料碳、氧含同的原因，定量地分析了有害残余气体的成分，提出了改善处延生长环境提高ＧｅＳｉ／Ｓｉ材料性能的有效方法。

作者雷震霖于卓

机构地区中科院沈阳科学心

出处《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1999年第A10期152-155,共4页 Vacuum Science and Technology

关键词超高真空 CVD 外延残余气体硅锗材料性能

参考文献1

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真空科学与技术

1999年第A10期

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