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Si高指数表面上的纳米台阶
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摘要
实验表明:Si(112)晶面不稳定,导致形成(111)-7×7和(337)小平面构成的台阶结构,其线度为纳米量级:Si(5,5,12)是比Si(337)更为稳定的晶面,它的2×1再构的表面原子的周期起太也为纳米量级。Si(112)和Si(5,5,12)都有望用来作为制备量子线结构材料的衬底。
作者
邢益荣
机构地区
中国科学院半导体研究所
出处
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
1999年第A10期257-260,共4页
Vacuum Science and Technology
关键词
高指数晶面
纳米原子台阶
量子线结构材料
硅
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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.中国科学院院刊,2008,23(2):177-177.
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.Journal of Semiconductors,1995,16(11):815-819.
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周再发,黄庆安,李伟华,邓伟.
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张敏平,陈建,杨洪新.
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宋友林,赵先林,李丹.
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陈锐.
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.电子材料快报,1998(9):15-16.
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真空科学与技术
1999年 第A10期
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