硝酸氧化法制备液晶显示器薄膜晶体管（TFT）

下载PDF

导出

摘要日本大阪大学小林光教授等人开发成功一项制备TFT的新技术一一硝酸氧化法。该技术的关键在于把硅浸于浓度高于68％的硝酸水溶液中，在低于120℃温度下硝酸分解而产生具有强氧化力的离解氧离子与硅起反应，

出处《金属功能材料》 CAS 2011年第3期49-49,共1页 Metallic Functional Materials

关键词硝酸氧化法薄膜晶体管液晶显示器制备日本大阪大学新技术 TFT 水溶液

1光纤激光器泵源[J].光机电信息,2006(9):69-69.
2马建保,方煕成,周帆.纳米SnO_2粉体的制备及现状[J].河南科技,2013,32(10X):76-77. 被引量：1
3徐甲强,侯振雨,秦建华,袁园.SnO_2陶瓷材料的制备及其气敏特性[J].电子元件与材料,1999,18(4):13-15. 被引量：3
4科技简讯[J].光机电信息,2007(7).
5谭生树.四次群光缆通信机和数字彩电光缆传输系统通过鉴定[J].激光杂志,1985,6(3):124-124.
6郑冬冬.半导体新突破成大研发新材料[J].半导体信息,2012,0(4):31-31.
7夏永伟,李国花,滕学公,樊志军.染色腐蚀多孔硅的光致可见光发光特性[J].Journal of Semiconductors,1994,15(10):681-685. 被引量：1
8通信[J].电子科技文摘,2002,0(12):58-58.
9凯普林光电推出150W高亮度半导体激光器[J].军民两用技术与产品,2014,0(14):36-36.
10本刊记者.JVC D-ILA技术调校研讨会携手CIT,共同推动影音行业发展![J].家庭影院技术,2011(8):125-125.

金属功能材料

2011年第3期

浏览历史

内容加载中请稍等...