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稀土掺杂ZnO半导体气敏传感器的性能研究 被引量:5

Study of the Properties of Rare-Earth Doped ZnO in Semiconductor Gas Sensor
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摘要 介绍了一种稀土(Tb2O3) 掺杂ZnO气敏传感器的制作工艺和传感器的性能.其特点是选择性好,工作温度比无稀土掺杂的ZnO In this paper,we introduce a gas senser mechanic technology of rare earth doped material, including its function.Its feature is good in selection and its working temperature is lower than that of the gas sensor without rareearth material.This new discovery may creat a new thought in the application of rareearth element to sensor.
作者 王晓平
出处 《湘潭大学自然科学学报》 CAS CSCD 1999年第4期109-111,共3页 Natural Science Journal of Xiangtan University
关键词 气敏传感器 稀土 掺杂 半导体 制备 rareearth element,gas sensor,properties
  • 相关文献

参考文献4

  • 1张树高.ZnO压敏电阻应用新进展[J].传感器技术,1992(6):34-37. 被引量:2
  • 2张树高,传感器技术,1992年,6期,124页
  • 3康昌鹤,气湿敏传感器件及其应用,,1988年
  • 4刘广玉,几种新型传感器-设计和应用,1988年

二级参考文献1

共引文献1

同被引文献111

引证文献5

二级引证文献17

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