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国内最大规模IGBT半导体产业基地开建

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摘要 5月25日，中国南车大功率绝缘栅双极型晶体管（insulated gate bipolar transistor，IGBT）产业化基地奠基，标志着我国首条8英寸IGBT芯片生产线项目正式启动，填补了国内相关技术领域的空白。

出处《机电一体化》 2011年第6期33-33,共1页 Mechatronics

关键词 IGBT 产业基地最大规模半导体绝缘栅双极型晶体管国内产业化基地芯片生产线

分类号 F426.63 [经济管理—产业经济] TN322.8 [电子电信—物理电子学]

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机电一体化

2011年第6期

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