功率VMOSFET阈电压Vt的温度效应
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1尹成群,李锦林.用VMOSFET产生高频大幅度纳秒脉冲[J].电子测量与仪器学报,1991,5(3):1-7.
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2吴刚.全VMOSFET高保真功率放大器[J].电子世界,1991(11):4-6.
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3潘志斌,徐国怡.功率VMOSFET优值Ron／BV的温度特性[J].半导体杂志,1991,16(4):5-10.
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4孙彦卿,石广元,孙立红.MOSFET在很低温度下的特性[J].微电子学与计算机,1992,9(5):44-47.
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5付军,田立林,钱佩信,罗台秦.全耗尽SOI MOSFET的阈电压的解析模型[J].电子学报,1996,24(5):48-52. 被引量：2
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6姚作宾,高文洪,王绍钧.电子束偏放电路的计算机辅助设计[J].微细加工技术,1996(1):17-22. 被引量：1
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7孙彦卿,石广元,孙立红.短沟道MOS器件阈电压和跨导的温度关系[J].辽宁大学学报（自然科学版）,1992,19(4):34-44.
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8Fairchild新一代PowerTrench MOSFET提供一流性能[J].半导体信息,2016,0(2):8-9.
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9陈大同,李志坚.一种新的有沟道注入的短沟MOSFET的阈电压解析模型[J].电子学报,1990,18(6):9-13.
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10张国强,余学锋,高剑侠,任迪远,严荣良,赵元富,胡浴红,王英明.两种注F层面的PMOSFET电离辐射响应特性[J].固体电子学研究与进展,1993,13(2):165-169. 被引量：5
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