摘要
讨论了用于深亚微米半导体器件模拟的Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ 方法（ＭＣＭ），探讨了确定自由飞行时间的自散射方法，并简要阐述了玻耳兹曼模型（ＢＴＭ）、漂移扩散模型（ＤＤＭ）和流体动力学模型（ＨＤＭ）之间的关系。
In this paper, we discuss Monte Carlo Method (MCM) for semiconductor device simulation. The self scattering method for determining free flying time is discussed. The relations among Boltzmann Transport Model(BTM), Drift Diffusion Model(DDM) and Hydro Dynamic Model(HDM) are described.
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第3期246-253,共8页
Research & Progress of SSE
关键词
中载流子
深亚微米器件
半导体器件
计算机模拟
Monte Carlo Method(MCM) Free flying Time Scattering Deep Submicrometer Device
