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高场应力下FLOTOXMOS管的性能退化研究

Characteristics Degradation of FLOTOX MOS Transistor Under Cyclic Field
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摘要 利用氧化层动态电流弛豫谱分析方法,测试分析了在周期性电场应力下FLOTOXMOS管隧道氧化层中陷阱电荷的特性,为研究陷阱电荷对FLOTOX EEPROM 阈值电压的影响提供了实验依据。在+ 11 V、- 11 V 周期性老化电压下所产生的氧化层陷阱电荷饱和密度分别为- 1.8×1011 cm - 2和- 1.4×1011 cm - 2,平均俘获截面分别为5.8×10- 20 cm 2 和7.2×10- 20 cm 2,有效电荷中心距分别为3.8 nm 和4.3 nm ,界面陷阱电荷饱和密度分别为6.54×109 cm - 2eV- 1和- 3.8×109 cm - 2eV- 1,平均俘获截面分别为1.12×10- 19 cm 2 和4.9×10- 19 cm 2。 The characteristics of the charges in tunnel oxide of FLOTOX MOS transistor under cyclic field stress have been tested and analyzed by an oxide dynamic current relaxation spectroscopy methold, which provide an experimental basis for analyzing the influence of the trapped charges on the threshold voltage of the FLOTOX EEPROM. Under +11 V, -11 V cyclic field stress, the saturation oxide trapped charges density is 1.8×10 11 cm -2 and -1.4×10 11 cm -2 , respectively; the average generation/capture cross section of the oxide trapped charges is 5.8× 10 -20 cm 2 and 7.2×10 -20 cm 2 respectively; the centroid of the effective trapped charges is 3.8 nm and 4.3 nm respectively; the interface trapped charges is 6.54×10 9 cm -2 eV -1 and -3.8×10 9 cm -2 eV -1 respectively; the average generation/capture cross section is 1.12×10 -19 cm 2 and 4.9×10 -19 cm 2 respectively.
出处 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期329-336,共8页 Research & Progress of SSE
基金 江苏省青年科技基金
关键词 浮栅隧道氧化层 陷阱电荷 应力 MOS晶体管 FLOTOX Cyclic Field Trapped Charges Stress
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