砷化镓集成电路技术的新进展——1998年IEEEGaAsIC国际会议被引量：2

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作者陈效建

机构地区南京电子器件研究所

出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期353-356,共4页 Research & Progress of SSE

关键词砷化镓集成电路光刻板生产线集成电路

同被引文献6

1来萍.GaAs器件及MMIC的可靠性研究进展[J].固体电子学研究与进展,1995,15(4):381-390. 被引量：2
2范国华,刘晓平,金毓铨,吴亚洁,颀世惠,李祖华.GaAs微波功率FET可靠性评价技术研究[J].固体电子学研究与进展,1997,17(2):173-177. 被引量：4
3峨嵋半导体材料研究所.砷化镓及其应用[M].北京:国防工业出版社,1975..
4莫郁薇.非工作期微电路的可靠性预计模型研究[J].Journal of Semiconductors,1997,18(6):460-465. 被引量：2
5费庆宇,黄云.GaAs MESFET栅极漏电流退化机理分析[J].电子产品可靠性与环境试验,2000,18(4):8-11. 被引量：4
6黄云.GaAs微波单片集成电路的主要失效模式及机理[J].电子产品可靠性与环境试验,2002,20(3):9-14. 被引量：12

1李志强,张海英,陈立强,张健,朱旻,尹军舰.一种InGaP/GaAs HBT高速预分频器MMIC[J].电子器件,2007,30(5):1555-1558. 被引量：2
2黄云,钮利荣,林丽.GaAs MMIC的MIM电容Si_3N_4介质的TDDB评价[J].固体电子学研究与进展,2005,25(3):315-319. 被引量：3
3李孝轩,胡永芳,禹胜林,严伟,徐骏善.微波GaAs功率芯片的低空洞率真空焊接技术研究[J].电子与封装,2008,8(6):17-20. 被引量：22
4于信明,崔玉兴.GaAs工艺监测研究[J].半导体技术,2011,36(7):520-523. 被引量：3
5张志军,李爱社,刘云,张金龙,单肖楠,黄海华,王立军.VL020回流炉中半导体激光器芯片In焊接研究[J].半导体技术,2012,37(6):474-478. 被引量：1
6马甜,李传日,程祺,荣双龙.基于失效物理的微波组件贮存寿命加速试验及预测[J].装备环境工程,2013,10(4):30-33. 被引量：2
7王磊,马伟宾,刘帅.GaAs开关FET功率特性的研究[J].半导体技术,2019,44(2):110-114. 被引量：3
8金龙,周冬莲,车勤,李杰,徐娟.一种微波功率管电路低空洞率共晶贴片工艺研究[J].混合微电子技术,2020,31(4):63-67.
9王朋,韦雪真.基于GaAs PHEMT工艺的Ka波段三通道开关滤波器[J].半导体技术,2023,48(4):324-327.
10黄云.加强工艺保障实现元器件质量与可靠性增长[J].电子质量,2003(10). 被引量：1

固体电子学研究与进展

1999年第3期

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