P波段硅脉冲功率管工程实用化研究

Engineering Application Study on P band Si Pulsed Power Transistor

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摘要详尽介绍了３ＤＡ５０２型硅脉冲功率晶体管工程实用化的研究过程。围绕可靠性综合设计开展六项专题研究，并辅以用红外热象法监测结温和射频加速寿命试验法，保证器件的长期使用可靠性， The engineering application of model 3DA502 silicon pulsed power transistor is introduced in detail.Consideration on reliability design is proposed.Junction monitoring by infrared thermal image and RF accelarated life test guarantee durable reliability.

作者王于辉高颖崔恩录秦仲波郝金中

机构地区河北半导体研究所

出处《半导体情报》 1999年第5期46-49,共4页 Semiconductor Information

关键词微波功率晶体管可靠性 Microwave Power transistor Reliability

分类号 TN323.4 [电子电信—物理电子学]

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