应用材料公司推出钨平坦化技术助力先进芯片设计

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摘要应用材料公司宣布其成功的Applied Reflexion GT CMP1系统工艺已经扩展．增加钨薄膜平坦化工艺。该CMPT艺对于制造先进的动态随机存储器（DRAM）、NAND闪存和逻辑器件的晶体管触点和通孔至关重要。依托经过验证的Reflexion GT双硅片架构，

出处《电子与电脑》 2011年第7期106-107,共2页 Compotech

关键词应用材料公司平坦化钨薄膜芯片设计动态随机存储器技术 NAND闪存逻辑器件

1何宇亮,刘力勇,顾书林,魏盛恩,戎霭伦.溅射钨薄膜热稳定性的研究[J].固体电子学研究与进展,1991,11(1):49-50. 被引量：1
2张利春,高玉芝,宁宝俊,夏宗璜,赖初喜.反应溅射氮化钨薄膜特性研究[J].Journal of Semiconductors,1990,11(5):348-354. 被引量：1
3周有衡,李爱珍.硅化钛上选择性化学汽相淀积钨[J].薄膜科学与技术,1990,3(4):60-65.
4严增濯.高电流密度氧化物阴极进展[J].光电技术,2005,46(2):19-24.
5徐捷,吕新明,楼祺洪.准分子激光诱导沉积锰和钨薄膜[J].中国激光,1992,19(5):357-362. 被引量：2
6谢中生.CMP平坦化工艺技术的发展应用与设备前景[J].电子工业专用设备,1997,26(1):12-14. 被引量：4
7艾永平,周灵平,陈兴科,刘俊伟,李绍禄.Ar^+能量及低能轰击对离子溅射铜钨薄膜结构的影响[J].河南科技大学学报（自然科学版）,2005,26(3):1-3. 被引量：1
8SUN YongFeng,CHAI ZhiMin,LU XinChun,HE DanNong.A direct atomic layer deposition method for growth of ultra-thin lubricant tungsten disulfide films[J].Science China(Technological Sciences),2017,60(1):51-57. 被引量：2
9胡浩.钨刻蚀残留的改善[J].中国科技纵横,2014(8):83-84.
10电子工艺[J].电子科技文摘,2001,0(3):23-23.

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2011年第7期

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