NTD CZ-Si辐照缺陷与O、C杂质相互作用对电学性能的影响

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摘要本文研究了中子嬗变掺杂直拉硅(NTD CZ-Si)经800℃退火后辐照缺陷与O、C杂质相互作用对单晶电学性能的影响,发现了750℃退火“平台”现象,并对辐照施主(ID)的产生机理和电学性能等给予了理论解释,对NTD CZ-Si应用于大规模、超大规模集成电路和半导体器件制作具有重要意义。

作者李伟吕淑求

机构地区河北工学院

出处《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第1期32-34,共3页 Chinese Journal of Rare Metals

基金国家自然科学基金(NSFC)

关键词直拉硅 CZ-SI 缺陷杂质电学性能

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稀有金属

1990年第1期

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