区熔工艺和中照条件对NTD FZ(H)-Si单晶退火行为的影响被引量：1

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摘要采用后热区熔工艺的NTD FZ(H)-Si单晶,其退火曲线与常规区熔(氢)工艺控制的NTD FZ(H)-Si单晶退火曲线一样,有氢施主,而采用后冷区熔工艺的NTD FZ(H)-Si单晶其退火曲线没有氢施主,但有辐照。辐照施主峰大小与快中子积分通量有关,通量愈大热快比愈小,辐照施主峰愈大。

作者陈燕生李秋生王丛华陈炳贤高秀清

机构地区北京科技大学中国原子能科学研究院

出处《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第1期29-31,59,共4页 Chinese Journal of Rare Metals

关键词单晶退火区熔工艺中照条件

同被引文献3

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稀有金属

1990年第1期

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