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硅单晶中位错电镜衍衬像的计算机模拟

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摘要 本文用电子计算机模拟了硅单晶中位错的电镜衍衬像。计算模拟像与集成电路硅材料中出现的位错的电子显微镜实验像符合较好。用计算像的方法准确地确定了位错的特性。文中还对改变试样厚度、衍射偏离参量以及吸收系数等不同条件下的位错像作了计算模拟。
出处 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第3期199-202,共4页 Chinese Journal of Rare Metals
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参考文献1

  • 1高愈尊.退火直拉硅单晶中氧沉淀和诱生缺陷的电子显微镜研究[J]物理学报,1984(06).

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