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提高n型〈100〉硅单晶质量和成品率的研究

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摘要 (一)实验 1.620℃低温退火对单晶缺陷的影响 620℃下1h,用OS法对比退火与非退火单晶。 2.停炉条件的影响单晶收尾后以38.1cm/h的速度,提升30min后取出;单晶收尾后以25.4cm/h的速度,提升1h后取出,对比这两种条件下的单晶。

作者曾世铭张鲁何林屠海令翟福义

机构地区北京有色金属研究总院

出处《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第3期227-229,共3页 Chinese Journal of Rare Metals

关键词硅单晶质量成品率

分类号 TN304.12 [电子电信—物理电子学]

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稀有金属

1990年第3期

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