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生长锗晶体用悬浮石墨坩埚的设计
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摘要
本文根据传热学与晶体生长条件设计了用于锗晶体生长的石墨坩埚,并成功地用双悬浮石墨坩埚法改进了锗单晶的生长工艺,解决了坩埚在熔体中浮不起来等实际问题。
作者
谢瑞庆
机构地区
南京锗厂
出处
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第4期275-280,共6页
Chinese Journal of Rare Metals
关键词
锗
晶体生长
石墨坩埚
分类号
TN304.11 [电子电信—物理电子学]
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