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生长锗晶体用悬浮石墨坩埚的设计

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摘要 本文根据传热学与晶体生长条件设计了用于锗晶体生长的石墨坩埚,并成功地用双悬浮石墨坩埚法改进了锗单晶的生长工艺,解决了坩埚在熔体中浮不起来等实际问题。
作者 谢瑞庆
机构地区 南京锗厂
出处 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第4期275-280,共6页 Chinese Journal of Rare Metals
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