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沉积原子入射动能对失配位错形成的研究
被引量：
1
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摘要
本文运用分子动力学模拟方法,详细研究了单个入射原子对外延铝簿膜中失配位错的诱发作用。模拟结果显示:入射动能足够大的单原子对外延薄膜中失配位错的形成有诱发作用。原子在600K下入射到失配度为-0.06,15个原子层厚且表面光滑的外延铝薄膜时,入射动能只要大于等于0.14eV就可以诱发失配位错的形成。
作者
黄俊
机构地区
江西省丰城市第二中学
出处
《科技经济市场》
2011年第6期29-30,共2页
关键词
沉积原子
外延薄膜
失配位错
分子动力学
分类号
TG174.4 [金属学及工艺—金属表面处理]
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