碳掺杂GaAs激光器侧向扩展电流的研究被引量：1

Study of the Current Spreading Effect on Carbon Doped GaAs Lasers

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摘要实验研究了碳掺杂ＧａＡｓ激光器帽层的侧向扩展电流对阈值的影响。 The effect of current spreading in the cap layer of carbon doped GaAs laser on its threshold current was studied.

作者邹德恕廉鹏殷涛李爽刘莹高国罗辑杜金玉沈光地

机构地区北京工业大学电子工程系

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第6期10-11,19,共3页 Semiconductor Technology

基金国家自然基金国家 "863"项目资助

关键词砷化镓激光器碳掺杂侧向扩展电流激光器 Carbon doped Side diffusion current Threshold

参考文献3

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半导体技术

1999年第6期

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