摘要
一、前言 高压放电在FBT(回扫变压器)内以及整机中经常发生,瞬时放电常导致高压硅堆击穿,连续放电则易使FBT失效、整机元器件损坏,严重的甚至造成显象管报废。据统计,整机七成以上故障由FBT引起,而FBT失效的七成为电晕、打火等高压放电。因此,高压放电是影响整机MTBF指标的一大因素。本文主要探讨目前设计比较成熟的彩电用六层平绕FBT在按GB9367—88及更恶劣条件下进行FHV高压放电试验时,硅堆动态承载的定量分析,以及缺陷硅堆可能的失效模式机理分析。
出处
《电子质量》
1999年第10期18-20,共3页
Electronics Quality