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用钒作掺杂母源的GaAs MOVPE生长
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职称材料
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作者
义仡
出处
《电子材料快报》
1999年第3期6-7,共2页
关键词
掺杂
钒
砷化镓
MOVPE
生长
Ⅲ-Ⅴ族
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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1
晓晔.
在HMDS做母源的Si(111)上外延生长3C—SiC[J]
.电子材料快报,1996(10):4-5.
2
本刊记者.
唱片技术新的挑战与创新 率先介绍即将进入市场的UHQCD——Ultimate Hi Quality CD[J]
.家庭影院技术,2015,0(8):110-111.
3
体验超清画面的极致享受 《极乐空间》BD4K限量礼盒[J]
.家庭影院技术,2014(6):126-126.
电子材料快报
1999年 第3期
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