LEC—InP晶体中退火生成的PIn缺陷
-
1赵有文,陈旭东,孙同年,刘思林,杨光耀.LEC─InP晶体中孪晶现象的分析[J].半导体情报,1995,32(4):8-12. 被引量:1
-
2华庆恒.n—型LEC—InP中VInH4浓度与补偿比的依赖关系[J].电子材料快报,1999(5):14-14.
-
3韩巧荣,刘磊,马振旄,王炳祥.3-氰基-1-中氮茚甲酸甲酯与树状大分子PAMAM的自组装及其性能研究[J].功能材料,2008,39(9):1486-1489.
-
4吴丽阳,李国荣,黄碧云,季红,张超.钯催化苯基硼酸酯的合成[J].精细化工,2015,32(10):1181-1184. 被引量:2
-
5韩巧荣,刘磊,王炳祥.中氮茚衍生物与树状大分子PAMAM的自组装及其性能研究[J].功能材料,2007,38(12):2084-2086. 被引量:2
-
6Wang, GQ,Tang, XY,Ma, JS.Sealing Interfaces of Pin in Colour Picture Tube[J].Journal of Materials Science & Technology,1996,12(1):78-80.
-
7邓汉芹,王明雄,杨桂春,陈沛智.胡椒醛缩异烟肼与钴、镍、铜和镉配合物的合成和表征[J].湖北大学学报(自然科学版),1991,13(1):66-70. 被引量:1
-
8肖永跃,高云,黄忠兵.V-Ga共掺TiO_2光伏电池模拟与研究[J].湖北大学学报(自然科学版),2013,35(2):168-172. 被引量:1
-
9YU ZhiBin,LI Lu,GAO HuiEr,PEI QiBing.Polymer light-emitting electrochemical cells:Recent developments to stabilize the p-i-n junction and explore novel device applications[J].Science China Chemistry,2013,56(8):1075-1086. 被引量:2
-
10陈春天,张景云,吴丰民,贺训军,杨彬,孙恩伟,曹文武.单斜相弛豫铁电单晶0.24PIN–0.43PMN–0.33PT的电光性能[J].硅酸盐学报,2015,43(11):1592-1596. 被引量:1
;