红外器件用InSb体单晶
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1彭万华.半导体红外器件及红外遥控的发展[J].机械与电子,1992(3):41-43.
-
2郑焕东,宋福英.MBE生长InSb外延层特性及红外探测器研究[J].红外与激光技术,1995,24(1):43-49. 被引量:1
-
3刘昌林,李仁豪.64×64元InSb阵列CMOS读出电路[J].半导体光电,2000,21(A03):53-55.
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4邓志杰.具有发展前途的InSb[J].现代材料动态,2003(1):12-12.
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5田人和,卢武星,李竹怀,高愈尊.InSb中离子注入二次缺陷研究[J].物理学报,1992,41(5):809-813.
-
6张毓荣.热释电探测器[J].红外技术,1989,11(6):38-44. 被引量:2
-
7邹品言.HQC—Z型红外器件测试台[J].技术通讯(宝鸡),1990(1):31-33.
-
8何珍珠.锑化铟探测器系统的前置放大器噪声[J].技术通讯(南峰机械厂),1992(2):19-24.
-
9王巍.自积分型读出电路构成红外焦平面阵列的性能分析[J].航空兵器,1999,6(2):14-18. 被引量:1
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10敏建.InSb的超结构[J].电子材料快报,1995(8):14-14.
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