CZ法生长GeSi合金晶体
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1义仡.CZ法生长Ge1—xSix合金体单晶[J].电子材料快报,1998(6):12-13.
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2苏宇欢.CZ法生长富Si Ge1—xSix合金体单晶[J].电子材料快报,1999(4):2-3.
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3一凡.MCZ法生长氧化物单晶[J].电子材料快报,1998(6):3-4.
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4许丽梅,陈建中.Er^(3+):NaY(W_(0.9)Mo_(0.1)O_4)_2晶体的生长及光谱性能[J].人工晶体学报,2007,36(6):1309-1313. 被引量:3
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5张忱.CZ法生长BSO和BGO晶体[J].电子材料快报,2000(1):11-12.
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6陶绍军,桑文斌,钱永彪,闵嘉华,方雅珂.CZ法生长参数对TeO_2晶体质量的影响[J].人工晶体学报,2003,32(2):165-169. 被引量:3
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7范缇文.砷离子注入的GeSi合金中沉淀相的研究[J].电子显微学报,1996,15(6):517-517.
-
8郑志强,易荣喜,陈克燕.稀土元素对铝硅合金凝固的影响[J].南昌大学学报(工科版),2005,27(3):10-13. 被引量:8
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9何评,俞昌铭.Cz法晶体生长中的流动与传热[J].北京科技大学学报,1993,15(4):358-363. 被引量:2
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10苏宇欢.CZ法生长GeSi合金引晶过程中的偏析[J].电子材料快报,1999(3):13-14.
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