表面再构对Ⅲ—Ⅴ族半导体界面结构的影响
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2李哲吟,刘惠周.Ge在Si上外延中表面再构的作用[J].半导体情报,1991,28(6):35-37.
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3陈可明,周国良,盛篪,蒋维栋,张翔九.Ge/Si(111)与Si/Ge(111)体系的生长特性与表面再构研究[J].物理学报,1990,39(4):599-606.
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4贺仲卿,侯晓远,丁训民.GaSb(100)的表面再构[J].物理学报,1992,41(8):1315-1321. 被引量：1
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5郭婧,邹德恕,高伟,秦园,刘自可,沈光地.新型表面再构的倒装AlGaInP LED[J].光电子．激光,2010,21(8):1129-1132. 被引量：2
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6王引书,李晋闽,张方方,林兰英.Si(100)衬底上SiC的外延生长[J].材料研究学报,2000,14(B01):91-93. 被引量：6
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10牛智川,周增圻,林耀望,周帆,潘昆,张子莹,祝亚芹,王守武.GaAs脊形量子线结构的MBE生长机理研究[J].Journal of Semiconductors,1996,17(3):227-230. 被引量：4
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