H3英寸GaAs离子注入掺杂材料研究

Study on Φ3 inch Ion Implantation in GaAs Material

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摘要详细介绍了Φ３ The results of ion implanted Φ3 GaAs are presented in detail.

作者张降洪宋马成

机构地区电子十三所

出处《半导体情报》 1999年第6期38-41,共4页 Semiconductor Information

基金国防科技重点实验室基金资助项目!项目编号: 98JS02.3.1.ZS0204

关键词离子注入砷化镓掺杂 GaAs wafer Ion implantation

参考文献1

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半导体情报

1999年第6期

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