InSb磁敏电位器研制
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
1999年第4期341-343,共3页
Chinese Journal of Sensors and Actuators
参考文献4
-
1八木厚夫.－[J].电子材料,1974,(8):27-27.
-
2黄得星.－[J].电子学报,1980,(4):43-43.
-
3黄得星，电子学报，1980年，4期，43页
-
4八木厚夫，电子材料，1974年，8期，27页
-
1王红妹,涂洁.锑化铟磁敏电位器芯片的研制[J].红外与激光技术,1991,20(1):30-35.
-
2黄新平,黄鹏,陈浩.InSb磁敏无接触电位器[J].国外电子元器件,2000(4):43-43.
-
3方培生.Insb磁敏电位器的研究[J].测控技术,1999,18(3):15-16.
-
4徐向东,钟琦.锑化铟无接触磁敏电位器电学参数测试和环境试验[J].红外与激光工程,1997,26(6):40-45.
-
5黄新平,黄鹏,陈浩.InSb磁敏无接触电位器[J].传感器世界,2000,6(4):28-29.
-
6刘慧英,侯柱锋,朱梓忠,黄美纯,杨勇.InSb的锂嵌入形成能第一原理计算[J].物理学报,2003,52(7):1732-1736. 被引量：8
-
7杨英慧.锂电池阳极材料的最新进展[J].现代材料动态,2003(6):1-2.
-
8曹效文.非晶态InSb和亚稳中间相的输运性质及其与超导电性的关系[J].低温物理学报,1991,13(3):221-229.
-
9杨英惠（摘译）.锑化铟晶体管工作电压低、开关快[J].现代材料动态,2006(2):8-8.
-
10王文生,祖光裕.InSb磁敏电阻器的开发[J].传感器技术,1990(1):31-34. 被引量：5
;
