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一种新的氮化镓生长工艺有望制造出更高更亮度的LED发光二极管

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摘要 美国北卡罗来纳州大学(NCSU)的研究人员最近提出了一种新的氮化镓生长工艺,据称和现有工艺比较,这一新工艺有望把材料的缺陷减低千分之一,从而使得那些基于氮化镓的LDE发光二极管、功率器件等的输出能力增加一倍。
出处 《集成电路通讯》 2011年第2期12-12,共1页
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