期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
英飞凌高标准节能技术助全球降低能耗
原文传递
导出
摘要
高能效之道就是产品和解决方案要确保大幅降低电子设备和机器的能耗。英飞凌通过提供最新的IGBT、CoolMOS、OptiMOS和碳化硅(SiC)等产品,最多可将现行总能耗降低25%。英飞凌称,其节能效果甚至超过了国际能效标准。由于采用CoolMOS芯片,服务器主板所需的功率下降了30%。
作者
姚钢
出处
《电子设计技术 EDN CHINA》
2011年第8期20-20,22,共2页
EDN CHINA
关键词
IGBT
COOLMOS
OPTIMOS
碳化硅SiC
英飞凌
分类号
TN86 [电子电信—信息与通信工程]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
1
英飞凌宣布推出OptiMOS^TM3 75V MOSFET系列[J]
.半导体技术,2009,34(7):721-722.
2
英飞凌宣布推出OptiMOS^TM375VMOSFET[J]
.电子元器件应用,2009,11(9).
3
英飞凌连续推出两款MOSFET新产品[J]
.电源世界,2009(7):16-16.
4
郑畅.
e络盟进一步扩充英飞凌CoolMOS^(TM)与OptiMOS^(TM)系列功率MOSFET,支持亚太区电子产品设计[J]
.半导体信息,2015(1):3-4.
5
英飞凌锁定能效,通信与安全三大领域深耕[J]
.电子与电脑,2010,10(1):36-37.
6
向赞飞.
英飞凌推出具最低通态电阻无铅封装MOSFET[J]
.电动自行车,2008(6):43-43.
7
洪光.
AC/DC变换器的国际能效标准简述[J]
.磁性元件与电源,2016(6):127-129.
8
陆楠.
新一代CoolMOS C6和第三代SiC二极管提高综合性能[J]
.电子设计技术 EDN CHINA,2009,16(8):26-26.
9
英飞凌推出全新OptiMOS 3系列,可使工业、消费类和电信应用的功率密度提高50%[J]
.电子与电脑,2008,8(6):65-65.
10
功率MOSFET OptiMOS 3[J]
.今日电子,2007(11):59-59.
电子设计技术 EDN CHINA
2011年 第8期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部